Главная » Новости » Запущено производство ReRAM-памяти

Запущено производство ReRAM-памяти

  • 15 января 2017
0 комментариев

Китайская компания SMIC запустила лицензионное производство прогрессивной энергонезависимой памяти ReRAM, разработанной американской компанией Crossbar. По утверждениям создателей, этот тип памяти существенно быстрее технологии NAND-Flash.

Время задержки при обращении занимает у ReRAM до 20 наносекунд, тогда как NAND флэш-памяти для этого требуется несколько единиц миллисекунд. Кроме того, ReRAM потребляет в двадцать раз меньше энергии. Благодаря столь фантастическим свойствам производители предрекают скорый триумф ReRAM-памяти во всех сферах ее применения и вытеснение NAND-Flash на обочину истории.

Основой для создания кристаллов памяти ReRAM является опытный кремний. Блоки по 8 Мбит предназначены для встраивания в микроконтроллеры и однокристальные сборки. Пока что производством ReRAM занимается только компания SMIC, но руководство компании Crossbar строит серьезные планы на использование своей технологии в качестве самостоятельной памяти в различных накопителях. Осталось лишь договориться о продаже лицензий ведущим изготовителям микросхем или о совместном коммерческом производстве с крупными вендорами.

Добавить комментарий

Вы должны войти, чтобы оставить комментарий.