Главная » Новости » В России изобретен самый тонкий в мире полупроводник

В России изобретен самый тонкий в мире полупроводник

  • 14 августа 2017
0 комментариев

С недавних пор отечественные ученые из МИСиС могут похвастаться тем, что им удалось достичь успеха на ниве освоения новых технических процессов, способных сделать размеры электроники еще меньше, то есть в решении задачи, над которой активно работают все современные хайтек-корпорации. Совместно со своими коллегами из Технологического университета Квинсленда, Пекинского транспортного университета, Национального института материаловедения Японии россияне создали ни много ни мало самый тонкий в мире полупроводник со свойствами, заданными изначально. Толщина нового материала – всего одна молекула! Получен он, как сообщает один из представителей Института биохимической физики РАН Леонид Чернозатонский, на основе нитрида бора.

Известно, что теоретическая модель нового сверхтонкого полупроводника была построена при помощи суперкомпьютерного кластера Cherry, который находится в НИТУ «МИСиС». Сам материал – это тончайшая пленка, на которую наносится тоже тончайший слой кислорода. Его удалось создать на основе спроектированной модели опытным путем.

По словам Павла Сорокина, научного сотрудника МИСиС, область применения нового полупроводника весьма широка. Это хранение энергии, оптоэлектроника, фотовольтаика. Открытие даст возможность для создания энергоэффективных нанопроцессоров, которые будут в тысячи раз компактнее ныне существующих. Это, в свою очередь, позволит значимо уменьшить габариты аккумуляторов, создавать «незаметную» электронику, которая найдет применение на практике. Например, благодаря ей можно будет производить невесомые кардиостимуляторы, очки с дополненной реальностью и многие другие вещи.

Добавить комментарий

Вы должны войти, чтобы оставить комментарий.